Ni/p-Si yapısındaki MS Schottky diyotların hidrojen sensörü olarak kullanılması - (:unkn) unknown (My University, 2001)
Hidrojen sensörleri, hidrojen gazının yanıcı olmasından dolayı erken uyarı sistemlerinde, bir enerji kaynağı olmasından dolayı da otomobil, uçak ve uzay mekiklerinin motor sistemlerinde kullanılmaktadır. Bu sebeple, hidrojen sensörlerinin geliştirilmesi önem taşımaktadır. Bu çalışmada, p-tip silisyum üzerine dairesel geometriye sahip farklı yarıçaplı Ni kapılar termal kaplama sistemi ile kaplanarak Ni/p-Si yapıdaki MS Schottky diyotlar imal edilmiştir. Bu yapıların I-V ve C-V karakteristikleri incelenmiştir. Bu diyotlarm gaz algılama özellikleri, IEEE-488 sistemi ile donatılmış bilgisayarlı bir otomatik ölçüm sisteminde, sıcaklığa $(5O^\circ C - 140^\circ C)$ ve gaz konsantrasyonuna (100ppm-1000ppm) bağlı I-t (Akım-zaman) ölçümleri yapılarak incelenmiştir. I-t ölçüm sonuçlarından, sensörlerin sıcaklığa ve gaz konsantrasyonuna bağlı cevap verme süreleri (response time) hesaplanmıştır. Sonuç olarak, örneklerin duyarlığının sıcaklığa kuvvetli bir şekilde bağlı, cevap verme sürelerinin sıcaklıkla ters orantılı olduğu ve minimum algılama şartının 75$\circ C$'da 100ppm hidrojen gaz konsantrasyonu olduğu tespit edilmiştir. Ayrıca, incelenen sensörlerin I-t grafiklerinden hesaplanan cevap verme sürelerinden hidrojen gazını algılama kalibrasyon eğrileri de çizilerek kalibrasyonları yapılmıştır.

Hydrogen sensors are used in safety systems, cars and aircraft combustion systems because of its explosive behaviour of hydrogen and as an energy source. So, the demand for hydrogen sensors increase day to day. In this study, Ni/p-Si MS Schottky diodes with different diameter of the gate have been fabricated. I-V and C-V characteristics of these devices were investigated. Gas sensing properties of these devices were obtained from I-t (current-time) characteristics depending on temperatures $(5O^\circ C - 140^\circ C)$ and gas concentrations (100 ppm-1000 ppm). The response time of the devices were also calculated from I-t characteristics. All the measurements are carried out in a computer controlled set-up. Gas sensing measurements showed that all samples were sensitive to H2. Sensitivity and response time parameters of the devices were depended on temperature and gas concentration. The best condition Tor minimum sensitivity was 75$\circ C$ and 100ppm H2 concentration. In addition, calibration curves for hydrogen gas sensing were obtained from response times by using I-t graphs.
The use of Ni/p-Si MS Schottky diode structures as hydrogen sensors
Keywords: Fizik, Katı Hal